武内 健一郎, 松谷 晃宏, 小山 二三夫, 伊賀 健一: "GaAs/GaAlAs系面発光レーザにおけるAlAs選択酸化プロセスの改良と単一モード発振特性"電子情報通信学会論文誌. vol.J83-C, no.9. 904-907 (2000)
武内 健一郎, 松谷 晃宏, 小山 二三夫, 伊賀 健一: "GaAs/GaAlAs系面発光レーザにおけるAlAs選択酸化プロセスの改良と単一モード発振特性"電子情報通信学会論文誌. vol.J83-C, no.9. 904-907 (2000)
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Kenichiro Takeuchi、Akihiro Matsutani、Fumio Koyama、Kenichi Iga：“GaAs/GaAlAs 表面发射激光器中 AlAs 选择性氧化过程和单模振荡特性的改进” IEICE Transactions，第 J83-C 卷，第 9 .904-907 号（ 2000)
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