Interaction Between Conduction-band Edge and Nitrogen-related Localized Levels in Nitrogen δ-doped GaAs
Interaction Between Conduction-band Edge and Nitrogen-related Localized Levels in Nitrogen δ-doped GaAs
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氮 δ 掺杂 GaAs 导带边缘与氮相关局域能级之间的相互作用
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
O.Wada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Harada;O.Kojima;T.Kita;O.Wada
