Direct growth of GaN film on ScAlMgO4 substrate by radio-frequency plasma- excited molecular beam epitaxy
Direct growth of GaN film on ScAlMgO4 substrate by radio-frequency plasma- excited molecular beam epitaxy
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射频等离子体激发分子束外延在 ScAlMgO4 衬底上直接生长 GaN 薄膜
DOI：
10.35848/1882-0786/acb894
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发表时间：
2023
影响因子：
2.3
通讯作者：
and R. Sugie
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Araki;S. Kayamoto;Y. Wada;Y. Kuroda;D. Nakayama;N. Goto;M. Deura;S. Mouri;T. Fujii;T. Fukuda;Y. Shiraishi;and R. Sugie
