Experimental Investigation of Interface Defect Properties in PtOx/ZnO Schottky Diodes by Deep Level Transient Spectroscopy
Experimental Investigation of Interface Defect Properties in PtOx/ZnO Schottky Diodes by Deep Level Transient Spectroscopy
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深能级瞬态光谱研究 PtOx/ZnO 肖特基二极管界面缺陷特性
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Uchida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Matsumura;T. Tanaka;K. Uchida
