ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜のアニール処理によるN分布と電気特性への影響
ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜のアニール処理によるN分布と電気特性への影響
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使用 ALE 方法对有意改变 N 分布的 GaAsN 薄膜进行退火对 N 分布和电性能的影响
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
鈴木 秀俊
中科院分区：
文献类型：
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作者：
中島 凌;河野 将大;峰松 遼;原口 智宏;鈴木 秀俊
