Defect aspects in ultra-shallow GaAs sidewall tunnel junctions implemented with molecular layer epitaxy
Defect aspects in ultra-shallow GaAs sidewall tunnel junctions implemented with molecular layer epitaxy
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采用分子层外延实现的超浅 GaAs 侧壁隧道结的缺陷方面
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yutaka Oyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
東田賢二;田中將己;Yutaka Oyama
