Variable-area capacitors controlled by HfO2-based ferroelectric-gate field-effect transistors
Variable-area capacitors controlled by HfO2-based ferroelectric-gate field-effect transistors
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由 HfO2 基铁电栅极场效应晶体管控制的可变面积电容器
DOI：
10.1063/5.0089049
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发表时间：
2022
影响因子：
4
通讯作者：
Tokumitsu Eisuke
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Miyasako Takaaki;Yoneda Shingo;Hosokura Tadasu;Kimura Masahiko;Tokumitsu Eisuke
