A new analytical method for characterising the bonding environment at rough interfaces in high-k gate stacks using electron energy loss spectroscopy.
A new analytical method for characterising the bonding environment at rough interfaces in high-k gate stacks using electron energy loss spectroscopy.
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一种使用电子能量损失光谱表征高 k 栅堆叠中粗糙界面处键合环境的新分析方法。
DOI：
10.1016/j.ultramic.2009.09.013
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
2.2
通讯作者：
Mendis BG
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Mendis BG
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岩盐结构过渡金属单氮化物 N K 边上的电子能量损失近边结构（ELNES）及其与相应过渡金属单碳化物 C K 边上的电子能量损失近边结构（ELNES）
DOI：
--
发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Craven
通讯作者：
A. Craven
影响因子：
64.8
作者：
G. Searle
通讯作者：
G. Searle
用于控制电子能量损失光谱测定中强度的快速光束开关。
影响因子：
2.2
作者：
A. Craven;J. Wilson;W. Nicholson
通讯作者：
W. Nicholson
亚纳米尺度晶界和平面缺陷的空间分辨电子能量损失谱的定量方法
影响因子：
2.2
作者：
H. Gu;M. Čeh;S. Stemmer;H. Müllejans;M. Rühle
通讯作者：
M. Rühle
DOI：
10.1016/j.elspec.2004.03.013
发表时间：
2005-05-01
影响因子：
1.9
作者：
Foran, B;Barnett, J;Stemmer, S
通讯作者：
Stemmer, S