Y.Nakamura: "Formation of Uniform GaAs Multi-Atomic Steps with 20-30 nm Periodicity and Related Structures in Vicinal (111) B Planes by MBE" Journal of Electronic Materials.
Y.Nakamura: "Formation of Uniform GaAs Multi-Atomic Steps with 20-30 nm Periodicity and Related Structures in Vicinal (111) B Planes by MBE" Journal of Electronic Materials.
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Y.Nakamura：“通过 MBE 在邻位 (111) B 平面中形成具有 20-30 nm 周期性的均匀 GaAs 多原子台阶和相关结构”《电子材料杂志》。
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