O.Feron, Y.Feurprier, Y.Shimogaki, M.Sugiyama, W.Asawamethapant, N.Futakuchi, Y.Nakano: "MOCVD of InGaAsP, InGaAs and InGaP over Inp and GaAs substrates distribution of composition and growth rate in horizontal reactor"Appl. Surf. Sci. 159-160. 318-327 (2
O.Feron, Y.Feurprier, Y.Shimogaki, M.Sugiyama, W.Asawamethapant, N.Futakuchi, Y.Nakano: "MOCVD of InGaAsP, InGaAs and InGaP over Inp and GaAs substrates distribution of composition and growth rate in horizontal reactor"Appl. Surf. Sci. 159-160. 318-327 (2
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O.Feron、Y.Feurprier、Y.Shimogaki、M.Sugiyama、W.Asawamethapant、N.Futakuchi、Y.Nakano：“InGaAsP、InGaAs 和 InGaP 在 Inp 和 GaAs 衬底上的 MOCVD 水平反应器中的成分分布和生长速率
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