M.Ishizaki,N.Kano,J.Yoshino,and H.Kukimoto: "Atomic Layar Epitaxy AlAs Using Dimethylaluminiumydride/Trimethyl alumi alminium Maxture the Al source" Jpn.J.Appl.Phys.30. (1991)
M.Ishizaki,N.Kano,J.Yoshino,and H.Kukimoto: "Atomic Layar Epitaxy AlAs Using Dimethylaluminiumydride/Trimethyl alumi alminium Maxture the Al source" Jpn.J.Appl.Phys.30. (1991)
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M.Ishizaki、N.Kano、J.Yoshino 和 H.Kukimoto：“使用二甲基铝氢化物/三甲基铝铝 Maxture 铝源进行原子层外延 AlAs”Jpn.J.Appl.Phys.30。
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