K.Agawa: "Electrical Properties of Heavily Si-doped GaAs grown on(311)A GaAs Surfaces by Molecular Beam Epitaxy" Proceedings of 20th Int'l Symp,GaAs and Related Compounds. (to be published). (1994)
K.Agawa: "Electrical Properties of Heavily Si-doped GaAs grown on(311)A GaAs Surfaces by Molecular Beam Epitaxy" Proceedings of 20th Int'l Symp,GaAs and Related Compounds. (to be published). (1994)
复制标题
K.Akawa：“通过分子束外延在 (311)A GaAs 表面生长的重硅掺杂 GaAs 的电性能”第 20 届国际研讨会论文集，GaAs 和相关化合物。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
