Deposition of GaAs Epitaxial Layers by Organometallic CVD Temperature and Orientation Dependence
Deposition of GaAs Epitaxial Layers by Organometallic CVD Temperature and Orientation Dependence
复制标题
DOI：
10.1149/1.2119780
复制
发表时间：
1983-03
影响因子：
3.9
通讯作者：
D. Reep;S. Ghandhi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Reep;S. Ghandhi
研究如何影响储存在蒸汽中的蒸汽相和支撑方向上的蒸汽相。三个十字形区域中贮库激活能的关系
Etude de l'influence sur la vitesse de depot des pressions partielles des phases reagissantes en phase vapeur et des orientations du support. Relations avec les energies d'activation du depot associees a trois regions de croissance