ALE法を用いて作製したGaAsN薄膜のアニール処理によるN分布と電気特性の関係
ALE法を用いて作製したGaAsN薄膜のアニール処理によるN分布と電気特性の関係
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ALE 法制备的 GaAsN 薄膜退火后 N 分布与电性能的关系
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
鈴木 秀俊
中科院分区：
文献类型：
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作者：
河野 将大;上田 大貴;原口 智宏;鈴木 秀俊
