A study of in-situ doping on maskless selective growth of GaAs using a low energy Sn-Ga focused ion beam
A study of in-situ doping on maskless selective growth of GaAs using a low energy Sn-Ga focused ion beam
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低能Sn-Ga聚焦离子束原位掺杂无掩模选择性生长GaAs的研究
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Pak
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Takeda;M.Mokhtar;M.Ishikawa;K.Pak
