Nobuyuki Sano et al.: "Role of Long-Range and Short-Range Coulomb Potentials in Threshold Characteristics under Discrete Dopants in Sub-0.1 um Si-MOSFETs"International Electron Devices Meeting Technical Digest. 275-278 (2000)
Nobuyuki Sano et al.: "Role of Long-Range and Short-Range Coulomb Potentials in Threshold Characteristics under Discrete Dopants in Sub-0.1 um Si-MOSFETs"International Electron Devices Meeting Technical Digest. 275-278 (2000)
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Nobuyuki Sano 等人：“0.1 微米以下 Si-MOSFET 中离散掺杂剂下的长程和短程库仑电势对阈值特性的作用”国际电子器件会议技术文摘。
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