The buleshift of electroluminescence from single n-InP nanowire/p-Si heterojunctions due to Burstein-Moss effect”
The buleshift of electroluminescence from single n-InP nanowire/p-Si heterojunctions due to Burstein-Moss effect”
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由于 Burstein-Moss 效应，单个 n-InP 纳米线/p-Si 异质结电致发光的蓝移 –
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