SiO2 clad active and passive photonic crystal nanocavity devices fabricated with photolithography
SiO2 clad active and passive photonic crystal nanocavity devices fabricated with photolithography
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用光刻法制造的 SiO2 包层有源和无源光子晶体纳米腔器件
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takasumi Tanabe,
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Nurul Ashikin Binti Daud;Yuta Ooka;Tomohiro Tetsumoto;Takasumi Tanabe,
