Fabrication of 3C-SiC on SiO2 Structures Using Wafer Bonding Techniques
Fabrication of 3C-SiC on SiO2 Structures Using Wafer Bonding Techniques
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使用晶圆键合技术在 SiO2 结构上制造 3C-SiC
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.223
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发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Mehregany
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Zorman;K. Vinod;A. A. Yasseen;M. Mehregany
