Effect of Substrate Orientation on MoSe2/GaAs Heteroepitaxy
Effect of Substrate Orientation on MoSe2/GaAs Heteroepitaxy
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DOI：
10.1021/acs.jpcc.9b11278
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发表时间：
2020-03-05
影响因子：
3.7
通讯作者：
Sakuma, Yoshiki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ohtake, Akihiro;Sakuma, Yoshiki
采用分子束外延技术在（111）B、（110）和（001）取向的GaAs衬底上外延生长了MoSe 2（0001）单层薄膜。我们发现，晶格失配是不是一个重要的因素，在确定的外延关系：外延MoSe 2（0001）膜形成的方式，MoSe 2和GaAs的方向具有最高的线性原子密度是相互对齐。GaAs（111）B和（110）衬底上的MoSe_2（0001）薄膜显示出MoSe_2 [11（2）over bar_0]//GaAs[1（1）over bar_0]的共同外延关系。对于在GaAs（001）上的生长，初始GaAs（001）表面的高度各向异性的原子结构在确定外延取向方面起着关键作用; MoSe 2 [11（2）over bar 0]方向与GaAs[110]方向对齐，但不与GaAs[1（1）over bar 0]的正交方向对齐。
Monolayer MoSe2 (0001) films are epitaxially grown on the (111)B-, (110)-, and (001)-oriented GaAs substrates by molecular-beam epitaxy. We found that the lattice mismatch is not a significant factor in determining the epitaxial relationship: epitaxial MoSe2 (0001) film is formed in such a way that the directions of MoSe2 and GaAs with the highest linear atomic densities are aligned with each other. The MoSe2 (0001) films on GaAs(111)B and (110) show the common epitaxial relationship of MoSe2 [11 (2) over bar0]//GaAs[1 (1) over bar0]. For the growth on GaAs(001), the highly anisotropic atomic structure of the initial GaAs(001) surface plays a key role in determining the epitaxial orientation; the MoSe2[11 (2) over bar0] direction is aligned with the GaAs[110] direction but not with the orthogonal direction of GaAs[1 (1) over bar0].