Photoluminescence Properties of MBE-Regrown GaN on Free-Standing GaN Substrate
Photoluminescence Properties of MBE-Regrown GaN on Free-Standing GaN Substrate
复制标题
独立式 GaN 衬底上 MBE 再生长 GaN 的光致发光特性
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Mouri
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D.Nakayama;R. Imamura;T. Araki;S. Mouri
