Ohmic Contacts to Silicon Carbide
Ohmic Contacts to Silicon Carbide
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DOI：
10.1063/1.1658746
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发表时间：
1970-02
影响因子：
3.2
通讯作者：
J. Shier
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Shier
我们已经研究了一些金属合金，以寻求改善的欧姆接触SiC。Cu-Ti共晶合金在880°C下润湿SiC，在p型SiC上形成欧姆的浅接触。Al-Si共晶在900°至1000°C下润湿SiC，在p型SiC上形成欧姆接触;穿透力为300至500 A。
We have studied a number of metal alloys in a search for improved ohmic contacts to SiC. A Cu–Ti eutectic alloy wets SiC at 880°C forming a shallow contact which is ohmic on p‐type SiC. An Al–Si eutectic wets SiC at 900° to 1000°C giving a contact which is ohmic on p‐type SiC; the penetration is 300 to 500 A.