Control of Al2O3 MOS Interfaces Fabricated on m-plane GaN surfaces
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复制标题
m 面 GaN 表面上制造的 Al2O3 MOS 界面的控制
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Shota Kaneki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Kaneki;T. Hashizume;Shota Kaneki
