Photoemission Study on Electrical Dipole at SiO2/Si and HfO2/SiO2 Interface
Photoemission Study on Electrical Dipole at SiO2/Si and HfO2/SiO2 Interface
复制标题
SiO2/Si和HfO2/SiO2界面电偶极子的光电研究
DOI：
10.7567/jjap.56.04cb04
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发表时间：
2017
影响因子：
1.5
通讯作者：
S. Miyazaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Fujimura;A. Ohta;M. Ikeda;K. Makihara;S. Miyazaki
