スパッタエピタキシー法を用いたSi直上へのGeSn薄膜の形成
スパッタエピタキシー法を用いたSi直上へのGeSn薄膜の形成
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采用溅射外延法直接在 Si 上形成 GeSn 薄膜
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，三村高志，松井敏明，須田良幸
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Shi;Y. Takagi;D. Anzai and J. Wang;塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，三村高志，松井敏明，須田良幸
