Green laser diodes with constant temperature growth of InGaN/GaN multiple quantum well active region
Green laser diodes with constant temperature growth of InGaN/GaN multiple quantum well active region
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InGaN/GaN多量子阱有源区恒温生长绿光激光二极管
DOI：
10.7567/1882-0786/ab21b6
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发表时间：
2019
影响因子：
2.3
通讯作者：
Yang Hui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tian Aiqin;Liu Jianping;Zhou Renlin;Zhang Liqun;Huang Siyi;Zhou Wei;Ikeda Masao;Zhang Shuming;Li Deyao;Jiang Lingrong;Lin Hao;Yang Hui
