K.Kushi et al.: "High-speed growth of device-quality GaN and InGaN by RF-MBE" Material Science and Engineering:B. (1999)
K.Kushi et al.: "High-speed growth of device-quality GaN and InGaN by RF-MBE" Material Science and Engineering:B. (1999)
复制标题
K.Kushi 等人：“通过 RF-MBE 高速生长器件质量的 GaN 和 InGaN”材料科学与工程：B。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
