VO2薄膜金属-绝缘体相变的原位电子结构研究
VO2薄膜金属-绝缘体相变的原位电子结构研究
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DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
Chinese Physics B
影响因子：
1.7
通讯作者：
奎热西
奎热西
中科院分区：
物理与天体物理3区
文献类型：
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作者：
吴蕊;王嘉鸥;钱海杰;奎热西
文献摘要
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