Backside E-Beam Probing on Nano scale devices

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纳米级器件的背面电子束探测

DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
2007 IEEE International Test Conference
影响因子：
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通讯作者：
Bernd Krüger
Bernd Krüger
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
R. Schlangen;R. Leihkauf;U. Kerst;C. Boit;Rajesh Jain;T. Malik;K. Wilsher;T. Lundquist;Bernd Krüger

文献摘要

被引文献

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介绍了一种在FIB准备后直接从芯片后端访问有源器件的创新应用中的IC调试和电子束探测。对这种方法在纳米尺度和千兆赫维度的潜力进行了评估。
IC debug with E-beam probing is presented in an innovative application accessing the active device directly from chip backside after FIB preparation. The potential of this approach in nanoscale and gigahertz dimensions is evaluated.