数nm-MOS素子用二次元Si層検討（Ⅺ）：C添加による物性変調
数nm-MOS素子用二次元Si層検討（Ⅺ）：C添加による物性変調
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几种 nm-MOS 器件的二维 Si 层检查 (Ⅺ)：通过添加 C 来调节物理性能
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
[52]長嶺 由騎，鈴木 佑弥，青木 孝，水野 智久
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tomohisa Mizuno;Keisuke Tobe;Yohichi Maruyama;and Toshiyuki Sameshima;加藤丈政・鎌田克洋・加藤紀樹・陳 春平・穴田哲夫;鈴木 佑弥，長嶺 由騎，青木 孝，前田 辰郎，水野 智久;武田重喜・一瀬裕弥・穴田哲夫・陳 春平;[52]長嶺 由騎，鈴木 佑弥，青木 孝，水野 智久
