ゲートオーバードライブによるノーマリーオフ型SiC-BGSITのターンオン性能の改善
ゲートオーバードライブによるノーマリーオフ型SiC-BGSITのターンオン性能の改善
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通过栅极过驱动提高常关型 SiC-BGSIT 的导通性能
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
矢野浩司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
勝俣公貴;田中保宣;八尾勉;高塚章夫;山本真幸;矢野浩司
