RFスパッタリング法による多結晶BaSi2薄膜の形成,
RFスパッタリング法による多結晶BaSi2薄膜の形成,
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采用射频溅射法形成多晶BaSi2薄膜，
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
横山 晟也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Konishi; K. Obase; K. Takahashi and K. Takaki;横山 晟也
