Influence of strain effects on characteristics of nanograting channel MOSFET
Influence of strain effects on characteristics of nanograting channel MOSFET
复制标题
应变效应对纳米栅沟道MOSFET特性的影响
DOI：
--
复制
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
X. Zhu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
中川;根尾;青木;三村;Takuya Sakata;Hidenori Mimura;塙裕 一郎;惣田 崇志;杉野林志;X. Zhu
