Interplay between hybridization gaps and antiferromagnetic gap in the hole-doped Kondo semiconductor Ce(Os1-yRey)2Al10
Interplay between hybridization gaps and antiferromagnetic gap in the hole-doped Kondo semiconductor Ce(Os1-yRey)2Al10
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空穴掺杂近藤半导体 Ce(Os1-yRey)2Al10 中杂化能隙与反铁磁能隙之间的相互作用
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Takabatake
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Kawabata;T. Ekino;Y. Yamada;A.Sugimoto;Y. Muro;T. Takabatake
