Structural and electrical properties of Si-doped a-plane GaN grown on r-plane sapphire by MOVPE
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2009.01.040
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发表时间：
2009-05
影响因子：
1.8
通讯作者：
B. Ma;Reina Miyagawa;Weiguo Hu;Dabing Li;H. Miyake;K. Hiramatsu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B. Ma;Reina Miyagawa;Weiguo Hu;Dabing Li;H. Miyake;K. Hiramatsu
