透明ダミーゲートを有したMOSFETチャネル領域に導入された歪のUVラマン解析
透明ダミーゲートを有したMOSFETチャネル領域に導入された歪のUVラマン解析
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对引入透明虚拟栅极 MOSFET 沟道区的应变进行紫外拉曼分析
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小瀬村 大亮、小椋 厚志;他
