Modeling dose effects in electronics devices: Dose and temperature dependence of power MOSFET
Modeling dose effects in electronics devices: Dose and temperature dependence of power MOSFET
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电子设备中的剂量效应建模：功率 MOSFET 的剂量和温度依赖性
DOI：
10.1016/j.microrel.2013.07.022
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
R. Ecoffet
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Michez;J. Boch;S. Dhombres;F. Saigné;A. Touboul;J. Vaillé;L. Dusseau;E. Lorfèvre;R. Ecoffet
