SiO_2/SiO_x/3C-SiC/n-Si(001)Nonvolatile Resistance Memory Formed with One-Stage Oxidation Process
SiO_2/SiO_x/3C-SiC/n-Si(001)Nonvolatile Resistance Memory Formed with One-Stage Oxidation Process
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一步氧化工艺形成的SiO_2/SiO_x/3C-SiC/n-Si(001)非易失性电阻存储器
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Y. Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Yamaguchi;H. Hasegawa;and Y. Suda
