Direct growth of m-plane GaN on grooved-patterned a-plane sapphire substrate with SiO2 mask
Direct growth of m-plane GaN on grooved-patterned a-plane sapphire substrate with SiO2 mask
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使用 SiO2 掩膜在沟槽图案 a 面蓝宝石衬底上直接生长 m 面 GaN
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Tadatomo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Okada;Y. Kawashima;K. Tadatomo
