Hydrogen-Controlled Crystallinity of 3C-SiC Film on Si(110) Grown with Mono methylsilane
Hydrogen-Controlled Crystallinity of 3C-SiC Film on Si(110) Grown with Mono methylsilane
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单甲基硅烷生长的 Si(110) 上 3C-SiC 薄膜的氢控结晶度
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takashi Itoh et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Chihiro Kachi-Terajima;et. al.;Takashi Itoh et al.
