Subthreshold Swing in Silicon Gate-All-Around Nanowire MOSFET at Cryogenic Temperature
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低温下硅栅极全能纳米线 MOSFET 的亚阈值摆幅
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Shohei Sekiguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Sekiguchi Shohei;Ahn Min-Ju;Mizutani Tomoko;Saraya Takuya;Kobayashi Masaharu;Hiramoto Toshiro;金 駿午;Shohei Sekiguchi
