Single crystal Fe elements patterned by one-step selective chemical wet etching
Single crystal Fe elements patterned by one-step selective chemical wet etching
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一步选择性化学湿法刻蚀单晶铁元件
DOI：
10.1088/0022-3727/43/29/295002
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发表时间：
2010-07
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
发展了一种通过选择性化学湿法刻蚀Au覆盖层并同时氧化下面的铁磁层来图案化单晶Fe薄膜的技术。聚焦磁光克尔效应和铁磁共振测量表明，在图案化的元件中的内禀磁各向异性没有改变，表明在金属-半导体界面处的化学键合保持不变。进一步的X射线能量色散谱测量表明，这种选择性湿法蚀刻技术是适合于薄Fe膜的图案化厚度小于约25 ML。
A technique has been developed to pattern single crystal ultrathin Fe films by selective chemical wet etching of the Au capping layer and then simultaneous oxidization of the ferromagnetic Fe layer underneath. The focused magneto-optical Kerr effect and ferromagnetic resonance measurements demonstrate that the intrinsic magnetic anisotropy has not been changed in the patterned elements, showing that the chemical bonding at the metal–semiconductor interface remains the same. Further x-ray energy dispersive spectroscopy measurements show that this selective wet-etching technique is suitable for the patterning of thin Fe films with thicknesses less than around 25 ML.
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DOI：
10.1007/b138703
发表时间：
1994
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
J. Bland;B. Heinrich
通讯作者：
J. Bland;B. Heinrich
DOI：
10.1007/3-540-27166-x_1
发表时间：
1994
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
G. A. Prinz
通讯作者：
G. A. Prinz
DOI：
10.1063/1.2712297
发表时间：
2006-05
期刊：
INTERMAG 2006 - IEEE International Magnetics Conference
影响因子：
--
作者：
C. Ni;Y. Zhai;Y. Xu;J. Wu;H. Zhai
通讯作者：
C. Ni;Y. Zhai;Y. Xu;J. Wu;H. Zhai
影响因子：
3.2
作者：
Y. Zhai;L. Shi;Wen Zhang;Yunxia Xu;Ming-Hui Lu;H. Zhai;W. Tang;X. Jin;Yongbing Xu;J. Bland
通讯作者：
Y. Zhai;L. Shi;Wen Zhang;Yunxia Xu;Ming-Hui Lu;H. Zhai;W. Tang;X. Jin;Yongbing Xu;J. Bland
减少图案化单晶铁点阵列中的面内单轴磁各向异性
影响因子：
2.1
作者：
通讯作者：
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