High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD
High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD
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通过常压等离子体CVD在低温下高质量外延硅生长
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Kakiuchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Yasutake;H. Ohmi;Y. Kirihata;H. Kakiuchi
