Field electron emission based on resonant tunneling in diamond/CoSi2/Si quantum well nanostructures.
Field electron emission based on resonant tunneling in diamond/CoSi2/Si quantum well nanostructures.
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基于金刚石/CoSi2/Si量子阱纳米结构共振隧道效应的场电子发射
DOI：
10.1038/srep00746
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发表时间：
2012
影响因子：
4.6
通讯作者：
Mantl, Siegfried
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gu, Changzhi;Jiang, Xin;Lu, Wengang;Li, Junjie;Mantl, Siegfried
观察到了金刚石/CoSi2/Si量子阱纳米结构优异的场电子发射特性。这种新型量子阱结构由生长在体硅衬底上的高质量金刚石发射体和纳米级外延CoSi2导电中间层组成。结果表明，CoSi2厚度的变化改变了薄膜的主要发射性能，采用高质量的金刚石薄膜和较厚的CoSi2中间层可以获得稳定的低场强、高发射电流和可控的电子发射。提出了这种量子阱结构中的电子共振隧穿机制，这种隧穿是由于纳米CoSi2层中较长的电子平均自由程造成的。这种结构满足了大多数真空微纳电子器件和平板显示器用大面积冷阴极的发展要求。
Excellent field electron emission properties of a diamond/CoSi2/Si quantum well nanostructure are observed. The novel quantum well structure consists of high quality diamond emitters grown on bulk Si substrate with a nanosized epitaxial CoSi2conducting interlayer. The results show that the main emission properties were modified by varying the CoSi2thickness and that stable, low-field, high emission current and controlled electron emission can be obtained by using a high quality diamond film and a thicker CoSi2interlayer. An electron resonant tunneling mechanism in this quantum well structure is suggested and the tunneling is due to the long electron mean free path in the nanosized CoSi2layer. This structure meets most of the requirements for development of vacuum micro/nanoelectronic devices and large-area cold cathodes for flat-panel displays.
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影响因子：
3.2
作者：
Gu, CZ;Jiang, X;Mantl, S
通讯作者：
Mantl, S
影响因子：
3.7
作者：
Stepanow, S.;Mugarza, A.;Arnau, A.
通讯作者：
Arnau, A.
DOI：
10.1098/rspa.1986.0013
发表时间：
1986-02-08
期刊：
PROCEEDINGS OF THE ROYAL SOCIETY OF LONDON SERIES A-MATHEMATICAL PHYSICAL AND ENGINEERING SCIENCES
影响因子：
--
作者：
BAYLISS, KH;LATHAM, RV
通讯作者：
LATHAM, RV
影响因子：
1.4
作者：
Geis, MW;Twichell, JC;Lyszczarz, TM
通讯作者：
Lyszczarz, TM
影响因子：
3.7
作者：
Wu, L.;Ang, L. K.;Koh, W. S.
通讯作者：
Koh, W. S.