SOI-MOS デバイスの寄生バイポーラ領域における機械的応力効果のデバイスシミュレーション
SOI-MOS デバイスの寄生バイポーラ領域における機械的応力効果のデバイスシミュレーション
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SOI-MOS 器件寄生双极区机械应力效应的器件仿真
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
宮崎則幸
中科院分区：
文献类型：
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作者：
塩塚航生;日高和也;小金丸正明;松本 聡;池田 徹;宮崎則幸
