ABA積層3層グラフェンの最低ランダウ準位における谷および電子・ホール非対称性
ABA積層3層グラフェンの最低ランダウ準位における谷および電子・ホール非対称性
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ABA 堆叠三层石墨烯中最低朗道能级的谷和电子空穴不对称性
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
静谷 謙一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yong-Liang Ma;Yongseok Oh;Ghil-Seok Yang;Masayasu Harada;Hyun Kyu Lee;Byung-Yoon Park;Mannque Rho;静谷 謙一
