MOS Device Technology using Alternative Channel Materials for Low Power Logic LSI
MOS Device Technology using Alternative Channel Materials for Low Power Logic LSI
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使用替代沟道材料的 MOS 器件技术用于低功耗逻辑 LSI
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Takenaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
(5)S. Takagi;K. Kato;W.-K. Kim;K. Jo;R. Matsumura;R. Takaguchi;D.-H. Ahn;T. Gotow;M. Takenaka
