YSZ基板上に成長した高In組成InGaNの諸特性
YSZ基板上に成長した高In組成InGaNの諸特性
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YSZ 衬底上生长的高 In 成分 InGaN 的特性
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小林篤，ライケーシン，上野耕平，太田実雄，藤岡洋
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Itoh;A. Kobayashi;K. Ueno;J. Ohta;and H. Fujioka;伊藤剛輝，小林 篤，上野耕平，太田実雄，藤岡洋;小林篤，ライケーシン，上野耕平，太田実雄，藤岡洋
