GaN growth on carbonized-Si substrate by MOVPE
GaN growth on carbonized-Si substrate by MOVPE
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通过 MOVPE 在碳化硅衬底上生长 GaN
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Asamura and K. Kawamura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Izumi;H. Miyake;K. Hiramatsu;H. Oku;H. Asamura and K. Kawamura
