Origins of Improved Hole-Injection Efficiency by MoO_3 Deposited onto a Polymeric Semiconductor F8BT
Origins of Improved Hole-Injection Efficiency by MoO_3 Deposited onto a Polymeric Semiconductor F8BT
复制标题
沉积在聚合物半导体 F8BT 上的 MoO_3 提高空穴注入效率的根源
DOI：
--
复制
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Hisao Ishii
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yasuo Nakayama;Katsuyuki Morii;Yuuichirou Suzuki;Hiroyuki Machida;Satoshi Kera;Nobuo Ueno;Hiroshi Kitagawa;Yutaka Noguchi;Hisao Ishii
